Критически важными для планируемой системы связи являются миллионы полупроводников третьего поколения, использующих платформу на основе кремния. (SCMP)
Китай поставил 5 миллионов полупроводников с нитридом галлия для питания умных терминалов интегрированной 6G-сети между космосом, воздухом и землей — впервые передовые чипы были массово произведены и введены в коммерческое использование.
Согласно статье в государственных СМИ, прорывной чип был разработан санкционированным американским исследовательским институтом No 55 Китайской корпорации электронных технологий (CETC) и её дочерней компанией Nanjing Guobo Electronics.
Китай является крупнейшим в мире держателем и экспортером галлия и в настоящее время вводит строгий экспортный контроль на основе конечного использования на редкий металл и его оксиды.
В отчёте, опубликованном в прошлый четверг в Science and Technology Daily, говорится, что чипы «предназначены для коммерческих умных терминалов, где они будут построены интегрированную информационную сеть космос-воздух-земля». Тип терминала не уточнялся.
«Он будет служить фундаментальной опорой для связи следующего поколения 6G, коммерческих космических программ, экономики малых высот и связи для реагирования на чрезвычайные ситуации», — говорится в докладе.
Цуй Кай, аналитик коммуникационной отрасли из IDC, глобальной рыночной аналитики, заявил, что чипы могут использоваться в высококлассных смартфонах или мобильных устройствах правоохранительных органов для заполнения спутникового сигнала, дополняя покрытие там, где сотовых сигналов не хватает.
«Но учитывая уже сильное покрытие сотовой сети в Китае, гражданские случаи использования относительно ограничены», — добавил он.
Каждый терминал будет оснащён чипом усилителя, который будет работать как громкоговорител, передавая сигналы на удалённые спутники или наземные станции, делая его «критически важным фактором» взаимосвязи сети, согласно отчёту.
Скорости передачи 5G — а в конечном итоге 6G — связей превышают возможности традиционных кремниевых чипов, которые перегреваются на более высоких рабочих частотах.
В отличие от этого, нитрид галлия — уже широко используемый в радиолокационных зарядных устройствах и связи — известен своей способностью выдерживать высокие температуры и высокое напряжение.
Чипы из нитрида галлия меньше, мощнее и способны передавать информацию на гораздо большие расстояния, что делает их выдающимся материалом для третьего поколения полупроводников.
Но чистые кристаллы нитрида галлия дорогие, поэтому инженеры выбрали гениальный подход. Они выращивали слой их на более дешёвом, зрелом кремниевом субстрате — похоже на строительство дома на подготовленном фундаменте.
Метод сочетает высокую производительность нитрида галлия с низкой стоимостью производства на основе кремния, согласно статье.
«Команда провела годы, преодолевая ряд технических узких мест, включая подготовку эпитаксиальных материалов, независимое проектирование чипа, полную валидацию процессов и тестирование надёжности продукции», — говорится в сообщении.
«В результате получаются чипы на основе кремния на основе нитрида галлия обладают выдающимися характеристиками, включая высокую мощность, высокую эффективность, сверхширокую пропускную способность и высокую надёжность, точно соответствующие строгим техническим требованиям интегрированной связи между космосом, воздухом и землей.»
Помимо галлийного чипа, портфолио института охватывает широкий спектр сценариев связи — от спутниковых полезных загрузок и модулей передачи данных до наземных шлюзов.
«Ожидается, что эти продукты помогут удовлетворить стремительно растущий спрос Китая на недорогие, высокопроизводительные радиочастотные чипы в таких отраслях, как коммерческий космос, экономика низкогорных районов, а также исследования и разработки 6G», — говорится в отчете.
Благодаря военным связям несколько ключевых исследовательских институтов CETC — включая 55-й, а также 14-й и 38-й — были добавлены в список организаций Министерства торговли США.
Чжан Тун
(в пересказе)
Мнение авторов может не совпадать с мнением редакции.
Cообщество журналистов. Non profit
